Samsung Has Achieved Meaningful Progress in Their RRAM Development

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    Samsung Electronics has successfully developed new technology in RRAM (Resistive Random Access Memory), next generation memory type which is becoming of interest due to its superior intrinsic scaling characteristics compared to Flash devices, as well as fast switching speeds, lower program voltages and currents.

    Samsung has reportedly pulled off quite an improvement in the durability in the RRAM prototype; switching function of writing and deleting can be multiplied up to 1 trillion times -- as much 1 million times as the flash memory.

    The results in Samsung Electronics' research into RRAM development have been posted on the online edition of the Nature Materials.

    삼성전자, 플래시 메모리보다 100만배 내구성 확보한 RRAM 기술 개발

    삼성전자가 차세대 메모리로 각광받고 있는 RRAM(Resistive Random Access Memory, 저항변화형 메모리)의 쓰기-지우기 내구성과 속도 등을 대폭 향상시킬 수 있는 기술 개발에 성공했다.

    삼성전자가 이번에 개발한 RRAM 기술은 쓰기-지우기 동작을 기존 플래시 메모리의 100만배에 이르는 1조번을 반복할 수 있는 내구성을 확보해 업계의 뜨거운 관심을 모을 것으로 보인다.

    삼성전자는 RRAM의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용, 산소 함량이 다른 산화탄탈륨 Ta2O5-x와 TaO2-x의 2중층으로 나눠 전류를 흘려 주는 필라멘트를 Ta2O5-x의 한 층에만 분포되도록 했다.

    삼성전자의 이번 연구 결과는 영국에서 발간하는 세계적 권위의 학술지 '네이처 머티어리얼즈 (Nature Materials)' 인터넷판(10일자)에 '산화탄탈륨(Ta2O5-x/ TaO2-x)의 비대칭 2중층 구조로 빠른 전환, 고내구성의 고용량 RRAM 구현'이라는 제목으로 게재됐다.

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